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東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

2021-12-10 09:09

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---TLP5705HTLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。

TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設(shè)計小型化。

 

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計。

 

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設(shè)計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

 

應(yīng)用

 

工業(yè)設(shè)備

  • 工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動器、光伏逆變器、UPS等。

 

特性

 

  • 高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)
    IOP=±2.5A(TLP5702H)
    IOP=±5.0A(TLP5705H)

  • 薄型SO6L封裝

  • 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

 

主要規(guī)格

(℃除非另有說明,@Ta=-40℃至125)

注:
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H

如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請復(fù)制以下鏈接進(jìn)行接訪問:

TLP5702H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5702H.html

 

TLP5705H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5705H.html

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